A grande maioria dos equipamentos atuais vêm com capacidades de armazenamento que variam entre os 32GB e os 64GB. No entanto, já existem opções no mercado que disponibilizam a elevada capacidade de 256GB, sendo esse o máximo que podemos obter. A Samsung pretende mudar isto e como tal iniciou a produção em massa de armazenamento eUFS com a capacidade de 512 GB.
O novo sistema de armazenamento tem as mesmas dimensões fÃsicas do modelo com 256GB, o que são boas notÃcias. A Samsung criou-o com chips de 512 gigabits de 64 camadas, oito deles, enquanto o armazenamento antigo eUFS usava chips de 48 camadas.
O novo sistema de armazenamento promete leituras sequenciais de 860MB/s e gravações sequenciais de 255MB/s. Na prática, leva 6 segundos para copiar um ficheiro de 5GB a partir deste sistema de armazenamento e 20 segundos para copiar um ficheiro com a mesma dimensão para ele. A Samsung estima que pode armazenar 21 horas de vÃdeo 4K nosnovos chips.
O desempenho ao nÃvel das aplicações é semelhante à geração anterior – 42.000 IOPS e 40.000 IOPS, respectivamente. Compare-os com o desempenho dos cartões SD / microSD:
| Tecnologia | Leitura aleatória (IOPS) | Escrita Aleatória (IOPS) |
| Samsung 512GB eUFS | 42,000 | 40,000 |
| Samsung 256GB eUFS | 45,000 | 40,000 |
| SD A2 | 4,000 | 2,000 |
| SD A1 | 1,500 | 500 |
A Samsung pretende usar estes novos chips de 64 camadas em SSDs e cartões de memória e não apenas no armazenamento do telefone. A produção destes, bem como os chips mais antigos de 48 camadas, serão aumentados no futuro, por isso esperamos que os telefones de alcance médio tenham mais armazenamento.
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