A Samsung acabou de anunciar a última versão da sua memória ‘High Bandwidth Memory’ (HBM2E) na conferência NVIDIA GPU Technology! Denominada de Flashpoint, a nova memória aumentar a performance em 33%, em relação à ‘velhinha’ HBM2.
Portanto, a Samsung afirma que a Flashpoint é capaz de chegar aos 3.2Gbps por pino. O que não é só mais rápido do que a memória antecessora, como também duplica a densidade para 16 gigabits por chip. Devido a isso, um singelo ‘pacote’ consegue oferecer a largura de banda de 410GB/s e a capacidade de 16GB.
Para ter noção do feito, a nova AMD Radeon VII, com esta memória, iria conseguir 1.64TB/s de largura de banda, com 64GB de capacidade!
Esta terceira geração de memória HBM2, chega apenas um ano depois da Samsung ter anunciado a sua memória Aquabolt, que por sua vez, aumentar a performance em 50%, em relação à primeira geração Flarebolt.
Infelizmente, a Samsung não revelou muitos detalhes acerca da Flashpoint (HBM2E)…
Assim, não fazemos ideia quando irá começar a produção em massa. Contudo, é provável que este produto chegue primeiro ao mercado pro, e só depois ao mercado de consumo tradicional.
Além disso, temos também de pensar no preço, visto que a memória HBM, é tradicionalmente bastante mais cara que as alternativas GDDR5/6.Â
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Samsung prepara memória RAM de 12GB para os novos smartphones
A Samsung já começou a produção em massa, de chips LPDDR4X de 12GB, para a próxima geração de smartphones! Se por acaso, 12GB num smartphone não lhe parece estranho, é porque estes módulos vão ser estreados já na versão ‘Performance’ do Galaxy S10+, e provavelmente também na versão 5G.
A gigante Sul Coreana, afirma que estes chips de memória RAM de 12GB, são os primeiros desenhados a pensar nos smartphones!
Pois bem, a maioria dos smartphones topo de gama, conta agora com 8GB de memória RAM.
Mas a ideia da Samsung, é dar o salto! Para chegar ao nÃvel de capacidade, que podemos encontrar nos portáteis ‘UltraBook’.
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