Atenção: Galaxy S25 será mais rápido que o iPhone 16 Pro!

A Qualcomm vai revelar o Snapdragon 8 Gen 4, que poderá entrar nos smartphones da gama Galaxy S25, no Snapdragon Summit em outubro deste ano. Em termos práticos esta implememtação pode significar que o Galaxy S25 será mais rápido que o iPhone 16 Pro.

Atenção: Galaxy S25 será mais rápido que o iPhone 16 Pro!

De acordo com várias informações, o próximo chipset será um grande salto no desempenho em comparação com seu antecessor. É exemplo disso o Snapdragon 8 Gen 3, que alimenta o Galaxy S24 Ultra. Uma fuga de informação anterior afirmava que o Snapdragon 8 Gen 4 atingiria uma pontuação de núcleo único de 2.800 pontos no Geekbench. É um enorme salto em relação à pontuação do Snapdragon 8 Gen 3 de 2.100 pontos. Bem, hoje, temos uma coisa ainda mais importante sobre o novo processador.

De acordo com um novo leak que chega da China, o Snapdragon 8 Gen 4 será capaz de atingir uma pontuação de núcleo único de 3.500 pontos. Se isto for verdade, seria alucinante. Por outro lado, o chipset Apple A18, que deve alimentar os modelos do iPhone 16 Pro, deve atingir 3.300 pontos no teste. A nova informação também diz que o desempenho multi-core e ao nível da GPU do Snapdragon 8 Gen 4 também será mais rápido do que o do Apple A18.

Isso significa que o Snapdragon 8 Gen 4 dominará completamente o Apple A18. Ou seja, permitindo que a gama Galaxy S25 supere o desempenho do iPhone 16 Pro. Se o leak for verdadeiro, um smartphone Samsung será capaz de vencer um iPhone em desempenho de núcleo único pela primeira vez.

A frequência de relógio mais elevada da indústria

O Snapdragon 8 Gen 4 terá o(s) núcleo(s) Oryon como núcleos principais e os núcleos Pheonix como núcleos de alto desempenho. De acordo com outra fuga de informação, a Qualcomm vai colocar o(s) núcleo(s) Oryon a 4,3 GHz, um valor inédito na indústria móvel e muito à frente da concorrência, e os núcleos Pheonix a 3,8 GHz.

O informador que revelou esta informação também afirma que o chipset pode consumir 1,3V de energia para atingir essas frequências. Isto poderia causar vários problemas, incluindo sobreaquecimento e estrangulamento térmico, e que o Snapdragon 8 Gen 4 será o primeiro chipset da Qualcomm a utilizar o processo de fabrico N3E (3nm).