Samsung está novamente à rasca! 3nm estão a falhar

Há alguns dias atrás, foi noticiado que a Qualcomm via com bons olhos um regresso a uma parceria com a Samsung, de forma a ter acesso ao seu recentemente lançado processo de produção de 3nm GAA. Um processo extremamente avançado, que até chega à indústria antes do processo da TSMC, a atual campeã da produção de chips do planeta.

Desta forma, a Qualcomm, e outras empresas, poderiam negociar contratos mais vantajosos com a Samsung, e claro, tirar partido de algumas inovações técnicas. No entanto, segundo alguns ‘leaks’ e rumores, a coisa já está a correr mal.

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Samsung está novamente à rasca! 3nm estão a falhar

Portanto, ao que tudo indica, apesar da chegada antecipada ao mercado, a Samsung apenas está a conseguir tocar em yields de 20%. Um número horrível, visto que isto significa que em cada fornada de chips de 3nm, 80% têm defeito. Ainda mais horrível, quando temos em consideração que o processo de 3nm GAA da Samsung deveria corrigir tudo aquilo que o processo de 5nm, e 4nm (uma otimização dos 5nm) trouxe de negativo para cima da mesa. Isto é um problema grave!

Aliás, as coisas estão tão más, que a Samsung viu-se obrigada a fechar uma parceria com a empresa Norte-Americana Silicon Frontline Tech, de forma a perceber o que está de mal, de base, para tentar corrigir as coisas até ao final do ano, ou início de 2023. Caso não se lembre, nos últimos tempos, a Samsung já perdeu a Qualcomm, a NVIDIA, ambas para a TSMC. Clientes de alto gabarito, que na verdade até têm interesse numa Samsung forte, para tentar fugir aos preços exagerados da sua atual parceira de produção TSMC.

Entretanto, segundo o que tem chegado a público, a culpa dos defeitos está no ESD, ou seja, na descarga eletro estática em cada wafer.

Em suma, a pressa é poucas vezes amiga da perfeição. O facto de a Samsung ter chegado primeiro ao mercado significa muito pouco, se o processo tiver 80% de taxa de defeito. Vamos ficar atentos para perceber se existe uma resolução possível até ao lançamento dos 3nm da TSMC.