A Samsung já começou a produção em massa de chips eUFS 3.1 de 512GB para ir de encontro à procura de armazenamento de alta velocidade e grande capacidade do mundo dos smartphones. Especialmente agora que a aposta nas câmeras é cada vez mais uma certeza, com a gravação 8K a chegar lentamente aos mais recentes topos de gama.
Assim, com a real necessidade de aumentar a velocidade do armazenamento dos nossos smartphones, a Samsung apostou tudo numa nova tecnologia de armazenamento… Que verdade seja dita, impressiona!
Armazenamento eUFS 3.1 da Samsung oferece 3x mais performance!
Portanto, com o novo armazenamento Universal Flash Storage 3.1 (UFS 3.1), a Samsung é capaz de ultrapassar a marca da velocidade de escrita de 1GB/s, o que é nada mais nada menos que um aumento de 300% em relação à atual memória eUFS 3.0.
Aliás, a Samsung afirma que esta nova tecnologia de armazenamento irá remover todo e qualquer bottleneck que as fabricantes possam ter a limitar a performance dos seus aparelhos. Ora leia:
“Com uma velocidade de escrita sequencial de 1200 MB/s, os chips de armazenamento eUFS 3.1 da Samsung (512GB) oferecem o dobro da performance dos atuais SSD SATA III para PC (540 MB/s). Bem como cerca de 10x a performance dos cartões microSD UHS-I (90 MB/s)”
Curiosamente, a Samsung está na vanguarda desta tecnologia! Ao fim ao cabo, acabou de lançar um dos primeiros smartphones capazes de gravar conteúdo de vÃdeo 8K, na forma dos novos Galaxy S20.
No entanto, é provável que o grande objetivo da fabricante não seja guardar esta tecnologia apenas para si, visto existir mais dinheiro na venda destes componentes a outras fabricantes. Especialmente quando é muito provável que a grande maioria dos smartphones de gama alta de 2020 tragam esta necessidade de velocidade para cima da mesa.
Entretanto, também é esperado que a Samsung comercialize armazenamento eUFS 3.1 nas capacidades de 256GB e 128GB, para quem não quer pagar o preço ‘Premium’.
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